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Samsung 990 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND
439,91 €
363,56 € sin IVA
Impuestos incluidos
Samsung 990, 2 TB, M.2, 7250 MB/s
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Samsung 990. SDD, capacidad: 2 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7250 MB/s, Velocidad de escritura: 6450 MB/s, Componente para: PC
| SDD, capacidad | 2 TB |
| Factor de forma de disco SSD | M.2 |
| Interfaz | PCI Express 4.0 |
| NVMe | Si |
| Tipo de memoria | V-NAND |
| Componente para | PC |
| Encriptación de hardware | Si |
| Versión NVMe | 2.0 |
| Algoritmos de seguridad soportados | 256-bit AES, TCG Opal 2.0 |
| Tamaño de la unidad SSD M.2 | 2280 (22 x 80 mm) |
| Velocidad de lectura | 7250 MB/s |
| Velocidad de escritura | 6450 MB/s |
| Lectura aleatoria (4KB) | 850000 IOPS |
| Escritura aleatoria (4KB) | 1200000 IOPS |
| Carriles datos de interfaz PCI Express | x4 |
| Función DevSleep | Si |
| Revisión PCI Express CEM | 4.0 |
| Soporte S.M.A.R.T. | Si |
| Soporte TRIM | Si |
| Tiempo medio entre fallos | 1500000 h |
| Voltaje de operación | 3,3 V |
| Consumo de energía (lectura) | 4,3 W |
| Consumo de energía (escritura) | 3,8 W |
| Consumo de energía (espera) | 0,055 W |
| Consumo de potencia DevSlp (modo sueño) | 3 mW |
| Ancho | 80,2 mm |
| Profundidad | 2,38 mm |
| Altura | 22,1 mm |
| Tipo de embalaje | Caja |
| Intervalo de temperatura operativa | 0 - 70 °C |
| Golpes en funcionamiento | 1500 G |
MP-1912559
50 unidades
Ficha técnica
- Ancho
- 80,2 mm
- Altura
- 22,1 mm
- Profundidad
- 2,38 mm
- Intervalo de temperatura operativa
- 0 - 70 °C
- Interfaz
- PCI Express 4.0
- Componente para
- PC
- Tipo de embalaje
- Caja
- Algoritmos de seguridad soportados
- 256-bit AES, TCG Opal 2.0
- Tiempo medio entre fallos
- 1500000 h
- Voltaje de operación
- 3,3 V
- Soporte S.M.A.R.T.
- Si
- Soporte TRIM
- Si
- Encriptación de hardware
- Si
- SDD, capacidad
- 2 TB
- Factor de forma de disco SSD
- M.2
- Tamaño de la unidad SSD M.2
- 2280 (22 x 80 mm)
- NVMe
- Si
- Velocidad de lectura
- 7250 MB/s
- Velocidad de escritura
- 6450 MB/s
- Tipo de memoria
- V-NAND
- Lectura aleatoria (4KB)
- 850000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB)
- 1200000 IOPS
- Función DevSleep
- Si
- Consumo de energía (espera)
- 0,055 W
- Golpes en funcionamiento
- 1500 G
- Consumo de energía (lectura)
- 4,3 W
- Consumo de energía (escritura)
- 3,8 W
- Versión NVMe
- 2.0
- Carriles datos de interfaz PCI Express
- x4
- Revisión PCI Express CEM
- 4.0
- Consumo de potencia DevSlp (modo sueño)
- 3 mW
Referencias específicas
- ean13
- 8806099020705
- MPN
- MZ-V9V2T0BW
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