KVR16S11S8/4 - Kingston Technology ValueRAM 4GB DDR3-1600 | APLIUM
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Kingston Technology ValueRAM 4GB DDR3-1600 módulo de memoria 1600 MHz

49,39 €

40,82 € sin IVA

Impuestos incluidos
4GB 1600MHz DDR3 Non-ECC. Producto Kingston.
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En stock · 4 unidades

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Kingston Technology ValueRAM . Componente para: Portátil, Memoria interna: 4 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 4 GB, Tipo de memoria interna: DDR3, Forma de factor de memoria: 204-pin SO-DIMM, Latencia CAS: 11

Memoria interna4 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño)1 x 4 GB
Tipo de memoria internaDDR3
Rango de memoria de transferencia de datos1600 MT/s
Componente paraPortátil
Forma de factor de memoria204-pin SO-DIMM
ECCNo
Latencia CAS11
Ancho de datos64 bit
Tipo de memoria con búferUnregistered (unbuffered)
Clasificación de memoria1
Voltaje de memoria1.5 V
Configuración de módulos512M X 64
Tiempo de ciclo de fila48,125 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila260 ns
Tiempo activo en fila35 ns
Placa de plomoOro
Intervalo de temperatura operativa0 - 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje-55 - 100 °C
Ancho67,6 mm
Altura30 mm
Tipo de embalajeSO-DIMM
Código de Sistema de Armomización (SA)84733020
Organización de los chipsX8
País de origenTaiwán
Velocidad del reloj de bus1600 MHz
Indicación de errorNo
Disposición de memoria1 x 4096 MB
Memoria interna4096 MB

Características principales

  • Capacidad: 4 GB
  • Tipo: DDR3
  • Formato: 204-pin SO-DIMM
  • Configuración: 1 x 4 GB
  • Tipo de búfer: Unregistered (unbuffered)
  • Latencia CAS: CL11
  • Voltaje: 1.5 V
MP-917718
4 unidades

Ficha técnica

Ancho
67,6 mm
Altura
30 mm
Código de Sistema de Armomización (SA)
84733020
País de origen
Taiwán
Intervalo de temperatura operativa
0 - 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje
-55 - 100 °C
Componente para
Portátil
Capacidad
4 GB
Tipo de embalaje
SO-DIMM
Memoria interna
4 GB
4096 MB
Tipo de memoria interna
DDR3
Organización de los chips
X8
Diseño de memoria (módulos x tamaño)
1 x 4 GB
Forma de factor de memoria
204-pin SO-DIMM
ECC
No
Tipo de memoria con búfer
Unregistered (unbuffered)
Voltaje de memoria
1.5 V
Rango de memoria de transferencia de datos
1600 MT/s
Ancho de datos
64 bit
Tipo de memoria
DDR3
Latencia CAS
11
Clasificación de memoria
1
Configuración de módulos
512M X 64
Tiempo de ciclo de fila
48,125 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila
260 ns
Tiempo activo en fila
35 ns
Placa de plomo
Oro
Velocidad del reloj de bus
1600 MHz
Indicación de error
No
Disposición de memoria
1 x 4096 MB

Referencias específicas

ean13
740617207781
MPN
KVR16S11S8/4

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